Определение электродвижущей силы и удельной термо-ЭДС термопары
9.1. Цель работы
Определение зависимости термоэлектродвижущей силы термопары от разности температур спаев. 9.2. Содержание работы В замкнутой цепи (рис. 9.1), состоящей из разнородных проводников (или полупроводников) А и В, возникает электродвижущая сила (э.д.с.) ЕT и течет ток, если контакты 1 и 2 этих проводников поддерживаются при различных температурах T1 и T2. Эта э.д.с. называется термоэлектродвижущей силой (термо-э.д.с), а электрическая цепь из двух разнородных проводников называется термопарой. При изменении знака разности температур спаев изменяется направление тока термопары. Это явление называется явлением Зеебека [1-5]. Известны три причины возникновения термо-ЭДС: образование направленного потока носителей зарядов в проводнике при наличии градиента температур, увлечение электронов фононами и изменение положения уровня Ферми в зависимости от температуры. Рассмотрим эти причины подробнее. При наличии градиента температуры dT/dl вдоль проводника электроны на горячем его конце обладают большей кинетической энергией, а значит и большей скоростью хаотического движения по сравнению с электронами холодного конца. В результате возникает преимущественный поток электронов от горячего конца проводника к холодному, на холодном конце накапливается отрицательный, а на горячем остается некомпенсированный положительный заряд. Накопление продолжается до тех пор, пока возникшая разность потенциалов не вызовет равный поток электронов. Алгебраическая сумма таких разностей потенциалов в цепи создает объемную составляющую термо-э.д.с. Помимо этого, имеющийся градиент температуры в проводнике приводит к возникновению преимущественного движения (дрейфа) фононов (квантов колебательной энергии кристаллической решетки проводника) от горячего конца к холодному. Существование такого дрейфа приводит к тому, что электроны, рассеиваемые на фононах, сами начинают совершать направленное движение от горячего конца к холодному. Накопление электронов на холодном конце проводника и обеднение электронами горячего конца приводит к возникновению фононной составляющей термо-э.д.с. Причем при низких температурах вклад этой составляющей является основным в возникновении термо-э.д.с. В результате обоих процессов внутри проводника возникает электрическое поле, направленное навстречу градиенту температуры. Напряженность этого поля можно представить в виде E = -dφ / dl = (-dφ / dT)· (-dt / dl)=-β·(-dT / dl) (9.1) где β = dφ / dT. Соотношение (9.1) связывает напряженность электрического поля E с градиентом температуры dT / dl. Возникающее поле и градиент температуры имеют противоположные направления, поэтому они имеют разные знаки. Определяемое выражением (9.1) поле является полем сторонних сил. Проинтегрировав напряженность этого поля по участку цепи АВ (рис 9.1) от спая 2 до спая 1 и предполагая, что T2 > T1, получим выражение для термо-э.д.с, действующей на этом участке: (9.2) (Знак изменился при изменении пределов интегрирования.) Аналогично определим термо-э.д.с., действующую на участке В от спая 1 до спая 2. (9.3) Третья причина возникновения термо-э.д.с. заключается в зависимости от температуры положения уровня Ферми, который соответствует наивысшему энергетическому уровню, занятому электронами. Уровню Ферми соответствует энергия Ферми EF , которую могут иметь электроны на этом уровне. Энергия Ферми - максимальная энергия, которую могут иметь электроны проводимости в металле при 0 К. Уровень Ферми будет тем выше, чем больше плотность электронного газа. Например (рис.9.2), EFA - энергия Ферми для металла A, а EFB - для металла В. Значения EPA и EPB - это наибольшая потенциальная энергия электронов в металлах А и В соответственно [4]. При контакте двух разнородных металлов А и В наличие разности уровней Ферми (EFA > EFB) приводит к возникновению перехода электронов из металла А (с более высоким уровнем) в металл В (с низким уровнем Ферми). При этом металл А заряжается положительно, а металл В отрицательно. Появление этих зарядов вызывает смещение энергетических уровней металлов, в том числе уровней Ферми. Как только уровни Ферми выравниваются, причина, вызывающая преимущественный переход электронов из металла А в металл В, исчезает, и между металлами устанавливается динамическое равновесие. Из рис. 9.2 видно, что потенциальная энергия электрона в металле А меньше, чем в В на величину EFA - EFB. Соответственно потенциал внутри металла А выше, чем внутри В, на величину ) UAB = (EFA - EFB) / l (9.4) Это выражение дает внутреннюю контактную разность потенциалов. На такую величину убывает потенциал при переходе из металла А в металл В. Если оба спая термопары (см. рис. 9.1) находятся при одной и той же температуре, то контактные разности потенциалов равны и направлены в противоположные стороны. В этом случае они компенсируют друг друга. Известно что уровень Ферми хоть и слабо, но зависит от температуры. Поэтому, если температура спаев 1 и 2 различна, то разность UAB(T1) - UAB(T2) на контактах дает свой контактный вклад в термо-э.д.с. Он может быть сравним с объемной термо-э.д.с. и равен: Eконт = UAB(T1) - UAB(T2) = (1/l) · {[EFA (T1) - EFВ (T1)] + [EFВ (T2) - EFА (T3)]} (9.5) Последнее выражение можно представить следующим образом: (9.6) Результирующая термо-э.д.с. (εT) слагается из э.д.с, действующих в контактах 1 и 2 и э.д.с, действующих на участках А и В. ET = E2A1 + E1B2 + Eконт (9.7) Подставив в (9.7) выражения, (9.3) и (9.6) и проводя преобразования, получим (9.8) где α = β - ((1/l) ·(dEF / dT)) (9.9) Величина α называется коэффициентом термо-э.д.с. Так как и β и dEF / dT зависят от температуры, то коэффициент α тоже является функцией Т. Приняв во внимание (9.9), выражение для термо-ЭДС можно представить в виде: (9.10) или (9.11) Величину αAB называют дифференциальной или удельной термо-ЭДС данной пары металлов. Измеряется она в В/К и существенно зависит от природы контактирующих материалов, а также интервала температур, достигая порядка 10-5 ÷10-4 В/К. В небольшом интервале температур (0-100°С) удельная термо-э.д.с. слабо зависит от температуры. Тогда формулу (9.11) можно с достаточной степенью точности представить в виде: ET = α · (T2 - T1) (9.12) В полупроводниках, в отличие от металлов, существует сильная зависимость концентрации носителей зарядов и их подвижности от температуры. Поэтому рассмотренные выше эффекты, приводящие к образованию термо-э.д.с, выражены в полупроводниках сильнее, удельная термо-э.д.с. значительно больше и достигает значений порядка 10-3 В/К. 9.3. Описание лабораторной установки Для изучения зависимости термо-э.д.с. от разности температур спаев (контактов) в настоящей работе используется термопара, изготовленная из двух отрезков проволоки, один из которых является сплавом на основе хрома (хромель), а другой сплавом на основе алюминия (алюмель). Один спай вместе с термометром помещен в сосуд с водой, температура T2 которой может изменяться путем нагрева на электроплитке. Температура другого спая T1 поддерживается постоянной (рис.9.3). Возникающая термо-э.д.с. измеряется цифровым вольтметром. 9.4. Методика проведения эксперимента и обработка результатов 9.4.1. Методика эксперимента В работе используются прямые измерения возникающей в термопаре э.д.с. Температура спаев определяется по температуре воды в сосудах с помощью термометра (см. рис. 9.3) 9.4.2. Порядок выполнения работы
9.4.3. Обработка результатов измерений
9.5. Перечень контрольных вопросов
СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
Добавил: naddy (11.05.2010) | Категория: Квантовая физика Просмотров: 29647 | Загрузок: 0 | Рейтинг: 5.0/2 | |
Комментарии (0) | |